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  集電環(huán)

公  司:滄州億能電機(jī)電氣設(shè)備有限公司
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長沙集電環(huán)自主研發(fā)生產(chǎn)質(zhì)量保證

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    (1)碳刷反應(yīng)溫度反應(yīng)溫度是影響CVD過程主要的工藝條件之一。一般而言,同一反應(yīng)體系隨著溫度的升高,氣相沉積速率加快,相應(yīng)的薄膜生長速率也隨之加快,但是在達(dá)到一定溫度后,薄膜的生長速率則趨于穩(wěn)定。需要注意的是,不同溫度條件下的同一反應(yīng)體系,依據(jù)反應(yīng)條件及基底材料的溫度、后處理?xiàng)l件(如退火條件)等所制得薄膜的結(jié)構(gòu)缺陷、純度及其表現(xiàn)出來的各種物理性質(zhì)均有一定的差。
    (2)碳刷反應(yīng)室壓力CVD沉積薄膜一般采用封管法、開管法兩種方法制備。封管法是把一定量的反應(yīng)物和適當(dāng)?shù)幕追謩e放在反應(yīng)器的兩端,管內(nèi)抽真空后充入一定量的反應(yīng)氣體,然后密封,再將反應(yīng)器置于雙溫區(qū)內(nèi),使反應(yīng)管內(nèi)形成溫度梯度。系統(tǒng)內(nèi)的總壓對封管系統(tǒng)往往起到重要作用,它直接影響到管內(nèi)氣體的輸送速度,從而影響到沉積膜的質(zhì)量。在真空條件下,沉積膜的均勻性和附著性往往會得到改善。開管法是將氣源氣體向反應(yīng)器內(nèi)吹送,保持在一個(gè)大氣壓的條件下沉積成膜,特點(diǎn)是反應(yīng)氣體混合物能夠連續(xù)補(bǔ)充,同時(shí)廢棄的反應(yīng)產(chǎn)物不斷排出沉積室。
    (3)碳刷反應(yīng)時(shí)間反應(yīng)時(shí)間的長短直接影響到沉積膜的質(zhì)量、厚度及沉積膜顆粒的大小。在化學(xué)氣相沉積生長硅納米線的實(shí)驗(yàn)中,發(fā)現(xiàn)時(shí)間的長短與制備得到的硅納米線的長度、直徑及厚度有一定關(guān)系,時(shí)間越長,硅納米線的長度越長,直徑與厚度越大。

集電環(huán)-1

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